ସମ୍ବାଦ

ଏକ ସାଧାରଣ ପରିସ୍ଥିତି: ଏକ ଡିଜାଇନ୍ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ EMC ସମସ୍ୟାର ସମ୍ମୁଖୀନ ହେଉଥିବା ଏକ ସର୍କିଟରେ ଏକ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଭର୍ତ୍ତି କରେ, କେବଳ ଜାଣିବାକୁ ପାଇଲେ ଯେ ବିଡ୍ ପ୍ରକୃତରେ ଅବାଞ୍ଛିତ ଶବ୍ଦକୁ ଖରାପ କରିଥାଏ | ଏହା କିପରି ହୋଇପାରେ? ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ସମସ୍ୟାକୁ ଅଧିକ ଖରାପ ନକରି ଶବ୍ଦ ଶକ୍ତି ଦୂର କରିବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ କି?
ଏହି ପ୍ରଶ୍ନର ଉତ୍ତର ପ୍ରାୟତ simple ସରଳ, କିନ୍ତୁ ଏହା EMI ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ପାଇଁ ଅଧିକାଂଶ ସମୟ ଅତିବାହିତ କରୁଥିବା ବ୍ୟକ୍ତିଙ୍କ ବ୍ୟତୀତ ଏହା ବହୁଳ ଭାବରେ ବୁ understood ିହେବ ନାହିଁ | ସରଳ ଭାବରେ କହିବାକୁ ଗଲେ, ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ନୁହେଁ, ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ନୁହେଁ ଇତ୍ୟାଦି ଅଧିକାଂଶ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ନିର୍ମାତା ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତି | ଏକ ଟେବୁଲ୍ ଯାହା ସେମାନଙ୍କର ଅଂଶ ସଂଖ୍ୟା ତାଲିକାଭୁକ୍ତ କରେ, କିଛି ପ୍ରଦତ୍ତ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ ପ୍ରତିରୋଧ (ସାଧାରଣତ 100 100 ମେଗାଜର୍), ଡିସି ପ୍ରତିରୋଧ (DCR), ସର୍ବାଧିକ ରେଟେଡ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଏବଂ କିଛି ପରିମାଣ ସୂଚନା (ସାରଣୀ 1 କୁ ଦେଖନ୍ତୁ) ପ୍ରତ୍ୟେକ ଜିନିଷ ପ୍ରାୟ ମାନକ ଅଟେ | ତଥ୍ୟରେ ଯାହା ଦେଖାଯାଏ ନାହିଁ | ସିଟ୍ ହେଉଛି ବସ୍ତୁ ସୂଚନା ଏବଂ ଅନୁରୂପ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା |
ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ହେଉଛି ଏକ ନିଷ୍କ୍ରିୟ ଉପକରଣ ଯାହା ଉତ୍ତାପ ଆକାରରେ ସର୍କିଟରୁ ଶବ୍ଦ ଶକ୍ତି ଅପସାରଣ କରିପାରିବ | ଚୁମ୍ବକୀୟ ବିଡ୍ ଏକ ବ୍ୟାପକ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିସରରେ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା ଦ୍ this ାରା ଏହି ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିସରର ଅବାଞ୍ଛିତ ଶବ୍ଦ ଶକ୍ତିର ସମସ୍ତ ଅଂଶକୁ ଦୂର କରିଦିଆଯାଏ | ଡିସି ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ପାଇଁ ( ଯେପରିକି ଏକ ଆଇସିର Vcc ଲାଇନ), ଆବଶ୍ୟକ ସଙ୍କେତ ଏବଂ / କିମ୍ବା ଭୋଲଟେଜ୍ କିମ୍ବା ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଉତ୍ସରେ (I2 x DCR କ୍ଷତି) ବୃହତ ଶକ୍ତି କ୍ଷୟକୁ ଏଡାଇବା ପାଇଁ କମ୍ DC ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ରହିବା ବାଞ୍ଛନୀୟ | ତଥାପି, ଏହା ପାଇବା ବାଞ୍ଛନୀୟ | ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ରେଞ୍ଜରେ ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିରୋଧ , ଯେତେ ଅଧିକ ୱିଣ୍ଡିଙ୍ଗ୍, ପ୍ରତିରୋଧ ଅଧିକ ହେବ, କିନ୍ତୁ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ କୋଇଲର ଭ physical ତିକ ଦ length ର୍ଘ୍ୟ ଲମ୍ବା ହୋଇଥିବାରୁ ଏହା ଏକ ଉଚ୍ଚ ଡିସି ପ୍ରତିରୋଧ ମଧ୍ୟ ସୃଷ୍ଟି କରିବ | ଏହି ଉପାଦାନର ରେଟେଡ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଏହାର ଡିସି ପ୍ରତିରୋଧ ସହିତ ବିପରୀତ ଆନୁପାତିକ |
EMI ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଫେରାଇଟ୍ ବିଡ୍ ବ୍ୟବହାର କରିବାର ଏକ ମ aspects ଳିକ ଦିଗ ହେଉଛି ଉପାଦାନଟି ପ୍ରତିରୋଧ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ରହିବା ଆବଶ୍ୟକ | ଏହାର ଅର୍ଥ କ’ଣ? ସରଳ ଭାବରେ କହିବାକୁ ଗଲେ ଏହାର ଅର୍ଥ ହେଉଛି ଯେ “R” (AC ପ୍ରତିରୋଧ) “XL” (ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ) ଠାରୁ ଅଧିକ ହେବା ଆବଶ୍ୟକ | ପ୍ରତିକ୍ରିୟା) ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଯେଉଁଥିରେ “R” “XL” ଠାରୁ ବଡ ହୋଇଯାଏ ଏହାକୁ “କ୍ରସଓଭର” ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କୁହାଯାଏ | ଏହା ଚିତ୍ର 1 ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି, ଯେଉଁଠାରେ ଏହି ଉଦାହରଣରେ କ୍ରସଓଭର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି 30 MHz ଏବଂ ଏକ ଲାଲ୍ ତୀର ଦ୍ୱାରା ଚିହ୍ନିତ |
ଏହାକୁ ଦେଖିବାର ଅନ୍ୟ ଏକ ଉପାୟ ହେଉଛି ଉପାଦାନଟି ଏହାର ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ପ୍ରକୃତରେ କ’ଣ କରେ ତାହା ଅନୁଯାୟୀ | ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ ସହିତ ଯେଉଁଠାରେ ଇନଡକ୍ଟରର ପ୍ରତିରୋଧ ମେଳ ଖାଉ ନାହିଁ, ଆସୁଥିବା ସଙ୍କେତର ଏକ ଅଂଶ ଉତ୍ସକୁ ପ୍ରତିଫଳିତ ହୋଇଥାଏ | ଏହା ହୋଇପାରେ | ଫେରିଟ୍ ବିଡର ଅନ୍ୟ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଥିବା ସମ୍ବେଦନଶୀଳ ଯନ୍ତ୍ରପାତି ପାଇଁ କିଛି ସୁରକ୍ଷା ପ୍ରଦାନ କର, କିନ୍ତୁ ଏହା ସର୍କିଟରେ “L” କୁ ମଧ୍ୟ ପରିଚିତ କରାଏ, ଯାହା ରିଜୋନାନ୍ସ ଏବଂ ଦୋହରିବା (ରିଙ୍ଗ୍) ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ | ତେଣୁ, ଯେତେବେଳେ ଚୁମ୍ବକୀୟ ବିଡ୍ ପ୍ରକୃତିର ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ, ଅଂଶ ଶବ୍ଦ ଶକ୍ତି ପ୍ରତିଫଳିତ ହେବ ଏବଂ ଶବ୍ଦ ଶକ୍ତିର ଏକ ଅଂଶ ପାସ୍ ହେବ, ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ |
ଯେତେବେଳେ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଏହାର ପ୍ରତିରୋଧକ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଥାଏ, ଉପାଦାନଟି ଏକ ପ୍ରତିରୋଧକ ପରି ଆଚରଣ କରିଥାଏ, ତେଣୁ ଏହା ଶବ୍ଦ ଶକ୍ତିକୁ ଅବରୋଧ କରିଥାଏ ଏବଂ ସର୍କିଟରୁ ସେହି ଶକ୍ତିକୁ ଅବଶୋଷଣ କରିଥାଏ ଏବଂ ଏହାକୁ ଉତ୍ତାପ ଆକାରରେ ଅବଶୋଷଣ କରିଥାଏ | ଯଦିଓ କିଛି ଇନଡକ୍ଟର ସହିତ ସମାନ ଭାବରେ ନିର୍ମିତ, ବ୍ୟବହାର କରି | ସମାନ ପ୍ରକ୍ରିୟା, ଉତ୍ପାଦନ ରେଖା ଏବଂ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା, ଯନ୍ତ୍ରପାତି ଏବଂ କିଛି ସମାନ ଉପାଦାନ ସାମଗ୍ରୀ, ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ କ୍ଷତିକାରକ ଫେରିଟ୍ ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରୁଥିବାବେଳେ ଇନଡକ୍ଟରମାନେ କମ୍ କ୍ଷୟକ୍ଷତି ଲୁହା ଅମ୍ଳଜାନ ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି | ଏହା ଚିତ୍ର 2 ରେ ବକ୍ରରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |
ଚିତ୍ରଟି ଦେଖାଏ [μ ''], ଯାହା କ୍ଷତିଗ୍ରସ୍ତ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ପଦାର୍ଥର ଆଚରଣକୁ ପ୍ରତିଫଳିତ କରେ |
100 MHz ରେ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଦିଆଯିବା ମଧ୍ୟ ଚୟନ ସମସ୍ୟାର ଏକ ଅଂଶ ଅଟେ | EMI ର ଅନେକ କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଏହି ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ ଥିବା ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ଅପ୍ରାସଙ୍ଗିକ ଏବଂ ବିଭ୍ରାନ୍ତିକର ଅଟେ | ଏହି “ବିନ୍ଦୁ” ର ମୂଲ୍ୟ ସୂଚାଏ ନାହିଁ ଯେ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ବ increases େ, ହ୍ରାସ ହୁଏ କି? , ସମତଳ ହୋଇଯାଏ, ଏବଂ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ଏହି ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ ଏହାର ସର୍ବୋଚ୍ଚ ମୂଲ୍ୟରେ ପହଞ୍ଚେ, ଏବଂ ପଦାର୍ଥଟି ଏହାର ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଅଛି କିମ୍ୱା ଏହାର ପ୍ରତିରୋଧ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ରୂପାନ୍ତରିତ ହୋଇଛି | ବାସ୍ତବରେ, ଅନେକ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଯୋଗାଣକାରୀ ସମାନ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ପାଇଁ ଏକାଧିକ ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି, କିମ୍ବା ଅନ୍ତତ least ପକ୍ଷେ ଡାଟା ସିଟ୍ ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି ଚିତ୍ର ଦେଖନ୍ତୁ | ଏହି ଚିତ୍ରର ସମସ୍ତ 5 ଟି ବକ୍ର ଭିନ୍ନ 120 ଓହମ୍ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ପାଇଁ |
ତାପରେ, ଉପଭୋକ୍ତା ଯାହା ପାଇବାକୁ ପଡିବ ତାହା ହେଉଛି ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଦେଖାଉଥିବା ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ ବକ୍ର | ଚିତ୍ର 4 ରେ ଏକ ସାଧାରଣ ପ୍ରତିରୋଧ ବକ୍ରର ଏକ ଉଦାହରଣ ଦେଖାଯାଇଛି |
ଚିତ୍ର 4 ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ତଥ୍ୟ ଦର୍ଶାଏ | ଏହି ଅଂଶଟି 100 ମେଗାଜର୍ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସହିତ 50 ଓହମ୍ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଭାବରେ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଛି, କିନ୍ତୁ ଏହାର କ୍ରସଓଭର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରାୟ 500 ମେଗାଜର୍, ଏବଂ ଏହା 1 ରୁ 2.5 GHz ମଧ୍ୟରେ 300 ଓହମରୁ ଅଧିକ ହାସଲ କରେ | ଡାଟା ସିଟ୍ ଦେଖିବା ଉପଭୋକ୍ତାଙ୍କୁ ଏହା ଜଣାଇବ ନାହିଁ ଏବଂ ବିଭ୍ରାନ୍ତିକର ହୋଇପାରେ |
ଚିତ୍ରରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି, ସାମଗ୍ରୀର ଗୁଣଗୁଡ଼ିକ ଭିନ୍ନ ହୋଇଥାଏ | ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ତିଆରି କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ଫେରିଟ୍ର ଅନେକ ପ୍ରକାର ଅଛି | କିଛି ସାମଗ୍ରୀ ହେଉଛି ଉଚ୍ଚ କ୍ଷତି, ବ୍ରଡବ୍ୟାଣ୍ଡ, ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି, କମ୍ ଇନ୍ସର୍ସନ କ୍ଷତି ଇତ୍ୟାଦି | ଚିତ୍ର 5 ସାଧାରଣ ଗୋଷ୍ଠୀକୁ ଦର୍ଶାଏ | ପ୍ରୟୋଗ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ |
ଅନ୍ୟ ଏକ ସାଧାରଣ ସମସ୍ୟା ହେଉଛି ସର୍କିଟ ବୋର୍ଡ ଡିଜାଇନର୍ମାନେ ବେଳେବେଳେ ସେମାନଙ୍କ ଅନୁମୋଦିତ ଉପାଦାନ ଡାଟାବେସରେ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଚୟନରେ ସୀମିତ ରହିଥା’ନ୍ତି | ଯଦି କମ୍ପାନୀର କେବଳ କିଛି ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଥାଏ ଯାହାକି ଅନ୍ୟ ଦ୍ରବ୍ୟରେ ବ୍ୟବହାର ପାଇଁ ଅନୁମୋଦିତ ଏବଂ ଅନେକ କ୍ଷେତ୍ରରେ ସନ୍ତୋଷଜନକ ବୋଲି ବିବେଚନା କରାଯାଏ, ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ସାମଗ୍ରୀ ଏବଂ ଅଂଶ ସଂଖ୍ୟାଗୁଡିକର ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ ଏବଂ ଅନୁମୋଦନ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ ନୁହେଁ | ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଅତୀତରେ, ଏହା ଉପରେ ବର୍ଣ୍ଣିତ ମୂଳ EMI ଶବ୍ଦ ସମସ୍ୟାର କିଛି ଖରାପ ପ୍ରଭାବ ସୃଷ୍ଟି କରିଛି | ପୂର୍ବର ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ପଦ୍ଧତି ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରକଳ୍ପ ପାଇଁ ପ୍ରଯୁଜ୍ୟ ହୋଇପାରେ, କିମ୍ବା ଏହା ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ହୋଇନପାରେ | ଆପଣ କେବଳ ପୂର୍ବ ପ୍ରକଳ୍ପର EMI ସମାଧାନ ଅନୁସରଣ କରିପାରିବେ ନାହିଁ, ବିଶେଷତ when ଯେତେବେଳେ ଆବଶ୍ୟକ ସଙ୍କେତର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପରିବର୍ତ୍ତନ ହୁଏ କିମ୍ବା ଘଣ୍ଟା ବିକିରଣ ପରି ସମ୍ଭାବ୍ୟ ବିକିରଣ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି |
ଯଦି ଆପଣ ଚିତ୍ର 6 ରେ ଦୁଇଟି ପ୍ରତିରୋଧ ବକ୍ରକୁ ଦେଖନ୍ତି, ତେବେ ଆପଣ ଦୁଇଟି ସମାନ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଅଂଶର ବସ୍ତୁ ପ୍ରଭାବକୁ ତୁଳନା କରିପାରିବେ |
ଏହି ଦୁଇଟି ଉପାଦାନ ପାଇଁ, 100 MHz ରେ ପ୍ରତିରୋଧ ହେଉଛି 120 ଓହମ୍ | ବାମ ପାର୍ଶ୍ୱରେ, “B” ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରି, ସର୍ବାଧିକ ପ୍ରତିରୋଧ ପ୍ରାୟ 150 ଓହମ୍, ଏବଂ ଏହା 400 MHz ରେ ହୃଦୟଙ୍ଗମ ହୁଏ | ଡାହାଣ ପାର୍ଶ୍ୱରେ | , “D” ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରି, ସର୍ବାଧିକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ହେଉଛି 700 ଓହମ୍, ଯାହା ପ୍ରାୟ 700 MHz ରେ ହାସଲ କରାଯାଇଥାଏ | , ଯେତେବେଳେ ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି “D” ସାମଗ୍ରୀ ପ୍ରାୟ 400 MHz ରେ ଇନ୍ଦ୍ରିୟାତ୍ମକ ରହିଥାଏ | କେଉଁ ଅଂଶ ବ୍ୟବହାର କରିବା ସଠିକ୍? ଏହା ପ୍ରତ୍ୟେକ ବ୍ୟକ୍ତିଗତ ପ୍ରୟୋଗ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ |
ଚିତ୍ର 7 ସମସ୍ତ ସାଧାରଣ ସମସ୍ୟାଗୁଡ଼ିକୁ ଦର୍ଶାଏ ଯେତେବେଳେ EMI କୁ ଦମନ କରିବା ପାଇଁ ଭୁଲ୍ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଚୟନ କରାଯାଏ | ଅନୁପଯୁକ୍ତ ସଙ୍କେତ ଏକ 3.5V, 1 uS ନାଡିରେ 474.5 mV ଅଣ୍ଡରଶଟ୍ ଦେଖାଏ |
ଏକ ଉଚ୍ଚ-କ୍ଷତି ପ୍ରକାର ସାମଗ୍ରୀ (ସେଣ୍ଟର୍ ପ୍ଲଟ୍) ବ୍ୟବହାର କରିବାର ଫଳାଫଳରେ, ଅଂଶର ଅଧିକ କ୍ରସଓଭର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ହେତୁ ମାପର ଅଣ୍ଡରଶଟ୍ ବ increases ିଥାଏ | ସିଗନାଲ୍ ଅଣ୍ଡରଶଟ୍ 474.5 mV ରୁ 749.8 mV କୁ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଲା | ସୁପର ହାଇ ଲୋସ୍ ସାମଗ୍ରୀର ଏକ ଅଛି | କମ୍ କ୍ରସଓଭର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଏବଂ ଭଲ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା | ଏହି ପ୍ରୟୋଗରେ ବ୍ୟବହାର କରିବା ପାଇଁ ଏହା ସଠିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ ହେବ (ଡାହାଣରେ ଥିବା ଚିତ୍ର) .ଏହି ଅଂଶ ବ୍ୟବହାର କରି ଅଣ୍ଡରଶଟ୍ 156.3 mV କୁ ହ୍ରାସ ପାଇଛି |
ବିଡି ମାଧ୍ୟମରେ ସିଧାସଳଖ କରେଣ୍ଟ ବ increases ଼ିବା ସହିତ ମୂଳ ପଦାର୍ଥ ସନ୍ତୁଷ୍ଟ ହେବାକୁ ଲାଗେ | ଇନଡକ୍ଟର ପାଇଁ ଏହାକୁ ସାଚୁଚରେସନ୍ କରେଣ୍ଟ କୁହାଯାଏ ଏବଂ ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସ ମୂଲ୍ୟରେ ଶତକଡ଼ା ହ୍ରାସ ଭାବରେ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ କରାଯାଇଥାଏ | ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ପାଇଁ, ଯେତେବେଳେ ଅଂଶ ପ୍ରତିରୋଧ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ଥାଏ, ସାଚୁରେଚରର ପ୍ରଭାବ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସହିତ ଇମ୍ପେଡାନ୍ସ ମୂଲ୍ୟ ହ୍ରାସରେ ପ୍ରତିଫଳିତ ହୁଏ | ଇମ୍ପେଡାନ୍ସର ଏହି ହ୍ରାସ ଫେରିଟ୍ ବିଡର ପ୍ରଭାବକୁ ହ୍ରାସ କରେ ଏବଂ EMI (AC) ଶବ୍ଦକୁ ଦୂର କରିବାର କ୍ଷମତା ହ୍ରାସ କରେ |
ଏହି ଚିତ୍ରରେ, ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ 100 MHz ରେ 100 ohms ରେ ରେଟିଂ କରାଯାଇଛି | ଏହା ହେଉଛି ସାଧାରଣ ମାପାଯାଇଥିବା ପ୍ରତିରୋଧ ଯେତେବେଳେ ଅଂଶର କ DC ଣସି DC କରେଣ୍ଟ ନାହିଁ | ତଥାପି, ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଥରେ ଡିସି କରେଣ୍ଟ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଏ (ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, IC VCC ପାଇଁ | ଇନପୁଟ୍), ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ପ୍ରତିରୋଧ ତୀବ୍ର ହ୍ରାସ ହୁଏ | ଉପରୋକ୍ତ ବକ୍ରରେ, 1.0 ଏକ କରେଣ୍ଟ୍ ପାଇଁ, ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ପ୍ରତିରୋଧ 100 ଓହମରୁ 20 ଓହମ୍ .100 MHz କୁ ବଦଳିଯାଏ | ହୁଏତ ଅତ୍ୟଧିକ ଗୁରୁତ୍ not ପୂର୍ଣ୍ଣ ନୁହେଁ, କିନ୍ତୁ ଡିଜାଇନ୍ ଇଞ୍ଜିନିୟର୍ ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଆବଶ୍ୟକ | ସମାନ ଭାବରେ, କେବଳ ବ electrical ଦୁତିକ ଚରିତ୍ରିକ ତଥ୍ୟ ବ୍ୟବହାର କରି | ଯୋଗାଣକାରୀଙ୍କ ଡାଟା ସିଟ୍ ରେ ଥିବା ଉପାଦାନର, ଉପଭୋକ୍ତା ଏହି DC ପକ୍ଷପାତ ଘଟଣା ବିଷୟରେ ଅବଗତ ହେବେ ନାହିଁ |
ହାଇ-ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଆରଏଫ୍ ଇନଡକ୍ଟର ପରି, ଫେରିଟ୍ ବିଡରେ ଥିବା ଭିତର କୋଇଲର ବୁଲିବା ଦିଗ ବିଡର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ବ characteristics ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଉପରେ ବହୁତ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ | ଚିତ୍ର 9 ରେ, ଦୁଇଟି 1000 ଓମ୍ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ସମାନ ଗୃହ ଆକାର ଏବଂ ସମାନ ସାମଗ୍ରୀ ସହିତ ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୋଇଛି, କିନ୍ତୁ ଦୁଇଟି ଭିନ୍ନ ଘୁଞ୍ଚିବା ବିନ୍ୟାସ ସହିତ |
ବାମ ଅଂଶର କୋଇଲାଗୁଡ଼ିକ ଭୂଲମ୍ବ ବିମାନରେ କ୍ଷତ ହୋଇ ଭୂସମାନ୍ତର ଦିଗରେ ଷ୍ଟାକ୍ ହୋଇଛି, ଯାହା ଭୂସମାନ୍ତର ସମତଳର ଡାହାଣ ପାର୍ଶ୍ୱରେ କ୍ଷତ ହୋଇଥିବା ଅଂଶ ଅପେକ୍ଷା ଉଚ୍ଚ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଅଧିକ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପ୍ରତିକ୍ରିୟା ସୃଷ୍ଟି କରିଥାଏ ଏବଂ ଭୂଲମ୍ବ ଦିଗରେ ଷ୍ଟାକ୍ କରାଯାଇଥାଏ | ଏହା ଆଂଶିକ ହେତୁ | ଶେଷ ଟର୍ମିନାଲ୍ ଏବଂ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ କୋଇଲ୍ ମଧ୍ୟରେ ହ୍ରାସ ହୋଇଥିବା ପରଜୀବୀ କ୍ୟାପିଟାନ୍ସ ସହିତ ଜଡିତ ନିମ୍ନ କ୍ୟାପିସିଟିଭ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା (XC) କୁ ଏକ ନିମ୍ନ XC ଏକ ଉଚ୍ଚ ସ୍ୱ-ରିଜୋନାନ୍ସ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଉତ୍ପାଦନ କରିବ, ଏବଂ ତା’ପରେ ଫେରିଟ୍ ବିଡର ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଏହା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ବୃଦ୍ଧି କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେବ | ଏକ ଉଚ୍ଚ ସ୍ -ୟଂ-ରିଜୋନାନ୍ସ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ ପହଞ୍ଚେ, ଯାହା ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ର ମାନକ ସଂରଚନାଠାରୁ ଅଧିକ ଅଟେ ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ | ଉପରୋକ୍ତ ଦୁଇଟି 1000 ଓମ୍ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ର ବକ୍ର ଚିତ୍ର 10 ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |
ସଠିକ୍ ଏବଂ ଭୁଲ୍ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଚୟନର ପ୍ରଭାବକୁ ଅଧିକ ଦେଖାଇବାକୁ, ଆମେ ଉପରେ ଆଲୋଚନା ହୋଇଥିବା ଅଧିକାଂଶ ବିଷୟବସ୍ତୁକୁ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରିବା ପାଇଁ ଆମେ ଏକ ସରଳ ଟେଷ୍ଟ ସର୍କିଟ୍ ଏବଂ ଟେଷ୍ଟ ବୋର୍ଡ ବ୍ୟବହାର କରିଥିଲୁ | ଚିତ୍ର 11 ରେ, ପରୀକ୍ଷା ବୋର୍ଡ ତିନୋଟି ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଏବଂ ଚିହ୍ନିତ ପରୀକ୍ଷଣ ପଏଣ୍ଟଗୁଡିକ ଦର୍ଶାଏ | “A”, “B” ଏବଂ “C”, ଯାହା ଟ୍ରାନ୍ସମିଟର ଆଉଟପୁଟ୍ (TX) ଉପକରଣଠାରୁ ଦୂରରେ ଅବସ୍ଥିତ |
ସିଗନାଲ୍ ଅଖଣ୍ଡତା ପ୍ରତ୍ୟେକ ତିନୋଟି ଅବସ୍ଥାରେ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ର ଆଉଟପୁଟ୍ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ମାପ କରାଯାଏ, ଏବଂ ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀରେ ନିର୍ମିତ ଦୁଇଟି ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ସହିତ ପୁନରାବୃତ୍ତି ହୁଏ | ପ୍ରଥମ ପଦାର୍ଥ, ଏକ ସ୍ୱଳ୍ପ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କ୍ଷୟକାରୀ “S” ପଦାର୍ଥ, ପଏଣ୍ଟରେ ପରୀକ୍ଷା କରାଯାଇଥିଲା | “A”, “B” ଏବଂ “C”। ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ, ଏକ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି “D” ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହୃତ ହୋଇଥିଲା | ଏହି ଦୁଇଟି ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ବ୍ୟବହାର କରି ପଏଣ୍ଟ-ଟୁ-ପଏଣ୍ଟ ଫଳାଫଳ ଚିତ୍ର 12 ରେ ଦର୍ଶାଯାଇଛି |
“ମାଧ୍ୟମରେ” ଅନୁପଯୁକ୍ତ ସଙ୍କେତ ମଧ୍ୟମ ଧାଡିରେ ପ୍ରଦର୍ଶିତ ହୁଏ, ଯଥାକ୍ରମେ ବ rising ୁଥିବା ଏବଂ ପଡୁଥିବା ଧାରରେ କିଛି ଓଭରଶଟ୍ ଏବଂ ଅଣ୍ଡରଶଟ୍ ଦେଖାଏ | ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଉପରୋକ୍ତ ପରୀକ୍ଷଣ ଅବସ୍ଥା ପାଇଁ ସଠିକ୍ ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରି, ନିମ୍ନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କ୍ଷତିଗ୍ରସ୍ତ ପଦାର୍ଥ ଭଲ ଓଭରଶଟ୍ ଦେଖାଏ | ବ rising ୁଥିବା ଏବଂ ପଡୁଥିବା ଧାରରେ ଅଣ୍ଡରଶଟ୍ ସିଗନାଲ୍ ଉନ୍ନତି ତଳ ଧାଡିରେ ଦେଖାଯାଇଛି |
ଚିତ୍ର 13 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ଭୂସମାନ୍ତର ସ୍କାନରେ ସୁପାରିଶ କରାଯାଇଥିବା ଉପର ଅଂଶ (ଚିତ୍ର 12) ରେ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ସହିତ EMI ର ଉନ୍ନତି ଦେଖିବାବେଳେ, ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ସମସ୍ତ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପାଇଁ, ଏହି ଅଂଶ EMI ସ୍ପାଇକ୍କୁ ଯଥେଷ୍ଟ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ ଏବଂ ସାମଗ୍ରିକ ଶବ୍ଦ ସ୍ତରକୁ 30 ରେ ହ୍ରାସ କରିଥାଏ | ପାଖାପାଖି 350 MHz ପରିସର ମଧ୍ୟରେ, ଗ୍ରହଣୀୟ ସ୍ତର ଲାଲ୍ ରେଖା ଦ୍ୱାରା ହାଇଲାଇଟ୍ ହୋଇଥିବା EMI ସୀମାଠାରୁ ବହୁତ କମ୍ ଅଟେ | କ୍ଲାସ୍ ବି ଯନ୍ତ୍ରପାତି ପାଇଁ ଏହା ହେଉଛି ସାଧାରଣ ନିୟାମକ ମାନକ (ଯୁକ୍ତରାଷ୍ଟ୍ରରେ FCC ଭାଗ 15)। ଫେରିଟ୍ ବିଡରେ ବ୍ୟବହୃତ “S” ସାମଗ୍ରୀ ଏହି ନିମ୍ନ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ପାଇଁ ବିଶେଷ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ | ଏହା ଦେଖାଯାଇପାରେ ଯେ ଥରେ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି 350 MHz ଅତିକ୍ରମ କଲା ପରେ, ମୂଳ, ଅନୁପଯୁକ୍ତ EMI ଶବ୍ଦ ସ୍ତର ଉପରେ “S” ସାମଗ୍ରୀର ସୀମିତ ପ୍ରଭାବ ଅଛି, କିନ୍ତୁ ଏହା 750 ମେଗାଜର୍ରେ ପ୍ରାୟ 6 dB ହ୍ରାସ କରିଥାଏ | ଯଦି EMI ଶବ୍ଦ ସମସ୍ୟାର ମୁଖ୍ୟ ଅଂଶ 350 MHz ରୁ ଅଧିକ, ତେବେ ଆପଣଙ୍କୁ ଆବଶ୍ୟକ | ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଫେରିଟ୍ ସାମଗ୍ରୀର ବ୍ୟବହାରକୁ ବିଚାର କରନ୍ତୁ ଯାହାର ସର୍ବାଧିକ ପ୍ରତିବନ୍ଧକ ସ୍ପେକ୍ଟ୍ରମରେ ଅଧିକ |
ଅବଶ୍ୟ, ସମସ୍ତ ରିଙ୍ଗ୍ (ଚିତ୍ର 12 ର ନିମ୍ନ ବକ୍ରରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି) ସାଧାରଣତ actual ପ୍ରକୃତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ପରୀକ୍ଷଣ ଏବଂ / କିମ୍ବା ସିମୁଲେସନ୍ ସଫ୍ଟୱେର୍ ଦ୍ୱାରା ଏଡାଯାଇପାରିବ, କିନ୍ତୁ ଆଶା କରାଯାଏ ଯେ ଏହି ଲେଖା ପାଠକମାନଙ୍କୁ ଅନେକ ସାଧାରଣ ତ୍ରୁଟି ଅତିକ୍ରମ କରିବାକୁ ଏବଂ ଆବଶ୍ୟକତାକୁ ହ୍ରାସ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦେବ | ସଠିକ୍ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ସମୟ ଚୟନ କରନ୍ତୁ, ଏବଂ EMI ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ପାଇଁ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ଆବଶ୍ୟକ କରୁଥିବାବେଳେ ଏକ ଅଧିକ “ଶିକ୍ଷିତ” ପ୍ରାରମ୍ଭ ବିନ୍ଦୁ ପ୍ରଦାନ କରନ୍ତୁ |
ଶେଷରେ, ଅଧିକ ପସନ୍ଦ ଏବଂ ଡିଜାଇନ୍ ନମନୀୟତା ପାଇଁ କେବଳ ଗୋଟିଏ ଅଂଶ ସଂଖ୍ୟା ନୁହେଁ, ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ର ଏକ ସିରିଜ୍ କିମ୍ବା ସିରିଜ୍ ଅନୁମୋଦନ କରିବା ସର୍ବୋତ୍ତମ ଅଟେ | ଏହା ମନେ ରଖିବା ଉଚିତ୍ ଯେ ବିଭିନ୍ନ ଯୋଗାଣକାରୀ ବିଭିନ୍ନ ସାମଗ୍ରୀ ବ୍ୟବହାର କରନ୍ତି, ଏବଂ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଯୋଗାଣକାରୀଙ୍କ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ସମୀକ୍ଷା କରାଯିବା ଆବଶ୍ୟକ | , ବିଶେଷତ when ଯେତେବେଳେ ସମାନ ପ୍ରୋଜେକ୍ଟ ପାଇଁ ଏକାଧିକ କ୍ରୟ କରାଯାଏ | ପ୍ରଥମ ଥର ଏହା କରିବା ଟିକେ ସହଜ, କିନ୍ତୁ ଥରେ ଅଂଶଗୁଡିକ ଏକ କଣ୍ଟ୍ରୋଲ୍ ନମ୍ବର ଅନ୍ତର୍ଗତ କମ୍ପୋନେଣ୍ଟ ଡାଟାବେସରେ ପ୍ରବେଶ କଲେ, ସେଗୁଡିକ ପରେ ଯେକ anywhere ଣସି ସ୍ଥାନରେ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଇପାରିବ | ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ବିଷୟଟି ହେଉଛି ଭବିଷ୍ୟତରେ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକର ସମ୍ଭାବନାକୁ ଦୂର କରିବା ପାଇଁ ବିଭିନ୍ନ ଯୋଗାଣକାରୀଙ୍କଠାରୁ ଅଂଶଗୁଡ଼ିକର ବାରମ୍ବାର କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମତା ଅତ୍ୟନ୍ତ ସମାନ ଅଟେ | ଏହା ମଧ୍ୟ ନିଶ୍ଚିତ କରିବ ଯେ ତୁମର EMI ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ ପାଇଁ ସଠିକ୍ ଫେରିଟ୍ ବିଡ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |
କ୍ରିସ୍ ବୁର୍କେଟ୍ 1995 ଠାରୁ TDK ରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିଆସୁଛନ୍ତି ଏବଂ ବର୍ତ୍ତମାନ ଜଣେ ବରିଷ୍ଠ ପ୍ରୟୋଗ ଇଞ୍ଜିନିୟର, ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ପାସ୍ ଉପାଦାନକୁ ସମର୍ଥନ କରୁଛନ୍ତି | ସେ ଉତ୍ପାଦ ଡିଜାଇନ୍, ବ technical ଷୟିକ ବିକ୍ରୟ ଏବଂ ମାର୍କେଟିଂରେ ଜଡିତ ଅଛନ୍ତି | ବୁର୍କେଟ୍ ଅନେକ ଫୋରମ୍ରେ ବ technical ଷୟିକ କାଗଜ ଲେଖିଛନ୍ତି ଏବଂ ପ୍ରକାଶ କରିଛନ୍ତି | ବୁର୍କେଟ୍ ଅପ୍ଟିକାଲ୍ / ମେକାନିକାଲ୍ ସୁଇଚ୍ ଏବଂ କ୍ୟାପେସିଟର ଉପରେ ତିନୋଟି ଆମେରିକୀୟ ପେଟେଣ୍ଟ ହାସଲ କରିଛି |
ବ In ଦୁତିକ ଏବଂ ବ electronic ଦ୍ୟୁତିକ ଇଞ୍ଜିନିୟରିଂ ପ୍ରଫେସନାଲମାନଙ୍କ ପାଇଁ ସମ୍ବାଦ, ସୂଚନା, ଶିକ୍ଷା ଏବଂ ପ୍ରେରଣା ହେଉଛି ମୁଖ୍ୟ ଉତ୍ସ |
ଏରୋସ୍ପେସ୍ ଅଟୋମୋବାଇଲ୍ ଯୋଗାଯୋଗ ଉପଭୋକ୍ତା ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ଶିକ୍ଷା ଶକ୍ତି ଏବଂ ଶକ୍ତି ଶିଳ୍ପ ସୂଚନା ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ମେଡିକାଲ୍ ମିଲିଟାରୀ ଏବଂ ଜାତୀୟ ପ୍ରତିରକ୍ଷା |